手冊關(guān)于低功耗睡眠的電流消耗有兩個(gè)參數：

5V

3.3V

結論：3.3V供電低功耗可以更低。

?

可以看到低功耗參數分為兩個(gè)級別，我們以5V供電時(shí)電器參數為例：

1、睡眠后總電流

2、關(guān)閉LDO，完全睡眠后總電流

????????字面理解，也就是LDO關(guān)閉的是深度睡眠，LDO不關(guān)閉是淺睡眠。注意ISLP5L參數有個(gè)條件是VCC=V33=5V，且選用外部晶體。

????????但是CH554在5V供電時(shí)，外部電路VCC和V33是不短接的，只有在3.3V供電時(shí)，V33和VCC才會(huì )短接。即5V供電時(shí)，其實(shí)無(wú)法滿(mǎn)足ISLP5L參數所描述的條件。5V供電時(shí)的睡眠電流消耗最低只能做到ISLP5參數中描述的（使用內、外部晶振影響不大）。

有CH552睡眠喚醒的例程嗎

1、配置芯片喚醒源

根據自己需要將相應比特位置位，要注意需要，如果IO喚醒，要正確配置引腳模式，使用USB，UART喚醒，需要正確配置外設。

注意該寄存器在安全模式下操作。

2、進(jìn)入睡眠，通過(guò)寫(xiě)PCON寄存器的PD位為1進(jìn)入睡眠。進(jìn)入睡眠后可以測試到芯片電流明顯下降。

3、正確給芯片觸發(fā)，芯片被喚醒，程序繼續運行。